Схема транзистора кт 978

схема транзистора кт 978
Для специалистов в области электроники, автоматики, вычислительной техники, а также студентов соответствующих специальностей вузов.7-е издание 2016 г.Твердый переплет, 704 стр.Автор: П. Хоровиц, У. ХиллМаксимальный срок передачи в службу доставки (при отсутствии товара на складе): 14 дней. Three-stage ROs are designed for the target frequency of 13.56 MHz by using the proposed and the conventional FBB techniques in CMOS inverters. Полевые транзисторы с изолированным затвором (IGBT) находят применение в устройствах большой мощности, например в устройствах плавного пуска, где успешно вытесняют тиристоры. ↑ И. П. Жеребцов.


Преимущественно под затвором существует область обеднения, в которой тоже нет носителей заряда благодаря образованию между легированным полупроводником и металлическим затвором контакта Шоттки. Nano-circuits DTCMOS P-type logic Pass-transistor adiabatic logic with NMOS pull-down configuration Leakage reduction. Изображённые на рис. 2 структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с электропроводностью n-типа.

Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность p-типа. Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении Структура биполярного n-p-n транзистора. Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в 1926—1928 годах. Структуры типа металл-оксид-полупроводник (МОП) с плавающим затвором и лавинной инжекцией (ЛИЗМОП) имеют затвор, выполненный из поликристаллического кремния, изолированный от других частей структуры.

Похожие записи:

Comments are closed, but trackbacks and pingbacks are open.